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菜鸟请教2214开发中迷惑的几个问题!!!

作者:岳峰山崖 栏目:ARM技术
菜鸟请教2214开发中迷惑的几个问题!!!
以前一直用8位和16位的单片机,这次是第一次用ARM做项目——一个心理学的实验仪器。手里现在有一套2104的开发板,之前已经断断续续看ARM的书藉和做实验有半年时间了。现在准备自己做一块2214的板子,有几个问题想请教一下高手们,恳请赐教。

一、我用到了一片12位的DA芯片(AD5447),以及一块TFT液晶屏(8位数据线)。开始我想仿照《ARM嵌入式系统实验教程》中的原理图,使用Bank3的地址空间扩展外设,但不知道用来地址译码与时序转换的CPLD芯片ATF16LV8C怎样获取,是得自己写程序,还是可以直接从周立功购买到。而且购买的话还有一个问题,就是我扩的两个外设与周立功相应的外设时序肯定也不同。如果自己写这片CPLD,本人虽然学过FPGA编程,也做过相关实验,但“从未下地干过活”,这样难度会增大很多,而且开发周期也会延长许多。
  所以现在我打算直接用IO脚方式来控制这两个外设,这样心里有底一些,但感觉IO口数量有些紧张。
请有经验的大侠帮我参谋参谋,怎样做更好,如果用第一个方案,CPLD该怎么办。
二、我用IO口控制AD,但D0到D15用做扩展FLASH用,只有从D16到D27有连续的12位数据线可以接AD的12位数据,但D26与D27在外部接上拉或下拉电阻后(控制启动方式及存储器位数),是否还能做数据线用。

还有几个问题,但今天没有时间写了,在此先向各位道谢!!!

2楼: >>参与讨论
zlgarm
re
1、试验板中的ATF16LV8C只作逻辑控制没有进行时序调整,可以不用。
2、AD数据线可以用D0-D11,作为一个bank访问。

3楼: >>参与讨论
岳峰山崖
谢谢zlgarm!
谢谢帮助,可是还是有些不明白的地方。
一、我开始没有说太明白,我本来打算用Bank3扩NAND FLASH K9F2808U0C
在《ARM嵌入式系统实验教程(二)》中的第12页写了,由于对K9F2808U0C芯片操作有特定的时序要求,所以使用了ATF16LV8C产生合适的片选信号(F_nCS)、读使能信号(F_nOE)和写使能信号(F_nWE)。而在《教程(二)》中,Bank3同时还有多个外设扩展。其余的几个外设可能只是由A23:21地址译码,而FLASH还是要求时序转换吧?谢谢!

二***、AD数据线如果用D0到D11,作为一个Bank访问,是否要求AD的读写时序信号与2214的总线读写时序相同?包括TFT屏的接口也是一样,怎么解决?这个问题对我很关键,谢谢!

三、为了绕开CPLD,我将要扩的NAND FLASH 改为 NOR FLASH SST39VF160,这样虽然口线占得多点,但不用这么复杂。但SST39VF160只有2M,感觉小了一点,请问同类型的片子还有没有容量大的,型号是什么?

四、2214的片内FLASH256K,如果我将NOR FLASH分配为Bank0,选择BOOT1:0为11,当下载的代码超过256K时,会自动下载到NOR FLASH中来吗?如果选择BOOT1:0为01,是不是就不用片内的FLASH了。


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