其它信息：

电源电压：3.3V设备V_CC＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(16M+512K)×8位，数据存储器：(512+16)×8位；自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节，块擦除：(16K+512)字节；页读操作：页大小：(512+16)字节，随机存取：10μs(最大值)，串行页访问：50ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据烬留时间；指令存储器操作；上电自动读操作；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装，63引脚的TBGA封装
引脚图：

K9F2808U0C 相关信息

基于PNX1500的嵌入多媒体平台

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基于ARM的车辆检测系统控制单元设计

...07769.html.[12]周立功等. ARM微控制器基础与实践.北京航空航天大学出版社. 2003. 11[13]马忠梅等. ARM嵌入式处理器结构与应用基础.北京航空航天大学出版社.2002[14] Samsung datasheet. "K9F2808U0C Flash Memory"[15] SIEMENS. "Loop Detector LD4"来源:xiangxueqin
USB海量存储类设备功能在ARM系统中的应用

...器件简介 S3C44B0X[1]是SAMSUNG公司出品的基于ARM7TDMI内核的RISC型微处理器，8 kB指令和数据共享的缓存，主频可达66 MHz，可以运行16位的Thumb指令和32位的ARM指令，且接口丰富，具有通用性。 K9F2808U0C[2]是SAMSUNG公司生产的一款Nand型闪存芯片，容量为16 MB，读写速度快，数据保存时间长，可擦写10万次，在嵌入式系统中有着广泛的应用，主要是负责数据存储。 PDIUSBDl2[3]是PHILIPS...
数字视频监控单元的设计

...5 上的数据相对应。LDQS 和UDQS 分别为低位和高位数据选通，只有在不同数据选通模式通过EMR 的控制位被使能时才被使用。图3 DM365 与W971GG6IB 接口框图单元中选用的NAND FLASH 为三星公司的K9F2808U0C ，它为一个132 MB 的闪存，其中的内存容量分为16M 8 b 容量和4 MB 的备用容量。该存储器阵列包含1 024 个独立可擦除块，每个数据块包含16KB。K9F2808U0C 的8 个I/ O 引脚是地址复...
大容量NANDFLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现

...，因为他的I/O端口只有8(或16)个，要完成地址和数据的传输就必需让这些信号轮流传送。NAND型FLASH具有极高的单元密度，容量可以比较大，价格相对便宜。本文采用Samsung公司的NAND型FLASH存储设备K9F2808U0C。 2系统硬件结构及接口电路 2.1ARM芯片介绍 ARM公司自1990年正式成立以来，在32位RISC(ReducedInstructionSetComputer)CPU开发领域不断取得突破，目前已经占有75％以上的32位RISC嵌...

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