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ECH8309-TL-H

更新时间:2025-05-17 02:36:07
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ECH8309-TL-H外观图

ECH8309-TL-H

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

  • 封装:8-SMD，扁平引线
ECH8309-TL-H 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    9.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    16 毫欧 @ 4.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1780pF @ 6V
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装
    8-ECH
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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