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FCPF11N60

更新时间:2024-04-26 13:20:23
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FCPF11N60外观图

  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SuperFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1490pF @ 25V
  • 功率 - 最大:36W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220F
  • 包装:管件
  • 其它名称:FCPF11N60_NLFCPF11N60_NL-ND
FCPF11N60 相关信息
  • 飞兆半导体的高电压SuperFET MOSFET产品获奖
    ...,能大幅降低系统功率损耗,并且增加开关电源 (SMPS) 和功率因子校正 (PFC) 应用的效率和可靠性。飞兆半导体的专利SuperFET技术利用多重外延层来构成补偿区域,以改善导通阻抗性能。FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET具有低FOM值 (FOM = RDS(on) x Qgd),与拥有相同RDS(on)水平的产品相比,FCP11N60器件具有更佳的FOM。 FCP11N60和FCPF11N60都提供业界最佳的di/dt (最大值为1430 A/us...
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