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FDFME2P823ZT

更新时间:2025-05-18 08:24:43
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FDFME2P823ZT外观图

FDFME2P823ZT

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

  • 封装:6-UMLP，6-MicroFET?
FDFME2P823ZT 规格参数
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    7.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    405pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    600mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-UMLP，6-MicroFET?
  • 供应商设备封装
    6-MicroFET（1.6x1.6）
  • 包装
    带卷 (TR)
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广东微尔科技有限公司
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