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FDMS86200

更新时间:2025-07-06 08:17:45

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市天卓伟业电子有限公司
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深圳市科立成电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市讯顺达科技有限公司
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深圳市蓝图麦浪电子科技有限公
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深圳市仕乙电电子有限公司
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深圳市科格尔电子有限公司
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原装优势大量现货，欢迎咨询

深圳市泰佳兴电子有限公司
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深圳市爱冠伟业电子有限公司
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深圳市鹏先达电子有限公司
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深圳市新亿利电子有限公司
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5000
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深圳市赛思尔科技有限公司
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只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市腾桩电子有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳世鹏翔科技有限公司
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PDFN8(4.9x5.8)/24+
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深圳市正川电子有限公司
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深圳市奥诗达电子有限公司
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FDMS86200

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 150V POWER56

封装:8-PQFN，Power56

FDMS86200 概述

FDMS86200是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产的功率MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和栅极电荷特性，适用于高效的电源转换应用。其最大漏源电压（VDS）为-30V，适合在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统中使用。典型应用场景包括负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器等。由于其优化的设计，可以有效降低功耗并提高系统效率。在实际应用中，建议注意散热设计，确保MOSFET工作在安全温度范围内。对于负载开关应用，可参考标准的高侧开关配置，通过适当的栅极驱动电阻选择来优化开关速度与EMI性能之间的平衡。

FDMS86200 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
18 毫欧 @ 9.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2715pF @ 75V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PQFN，Power56
供应商设备封装
Power56
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDMS86200TR

芯知识

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