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FDP16AN08A0

更新时间:2025-05-15 20:53:17

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深圳市昴泽电子有限公司
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市锦泰世纪电子有限公司
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深圳市博正芯科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市程涵电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市新美电子有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB

封装:TO-220-3

FDP16AN08A0 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
400
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
58A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫欧 @ 58A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
42nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1857pF @ 25V
功率 - 最大
135W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
FDP16AN08A0-NDFDP16AN08A0FS

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