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FGP20N6S2

更新时间:2024-09-24 00:08:58
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FGP20N6S2外观图

  • 标准包装:400
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,7A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):28A
  • 功率 - 最大:125W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:FGP20N6S2_NLFGP20N6S2_NL-ND
FGP20N6S2 相关信息
  • 介绍在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较
    ...定VFCE电压,VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。 图5中的示例仅考虑了CCM PFC电路的传导损耗,即假定设计目标在维持最差情况下的传导损耗小于15W。以FCP11N60 MOSFET为例,该电路被限制在5.8A,而FGP20N6S2 IGBT可以在9.8A的交流输入电流下工作。它可以传导超过MOSFET 70% 的功率。 虽然IGBT的传导损耗较小,但大多数600V IGBT都是PT (Punch Through,穿透) 型器件。PT器件具有NTC (负温...

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