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FM18L08-70-TG

更新时间:2024-04-18 11:42:07
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FM18L08-70-TG 相关资料

  • 其它信息：

    256K位非易失性铁电存储器，结构容量为32768×8位，读写次数无限制，写数据无延时，采用先进的高可靠性的铁电制造工艺，数据保留45年；相对于有电池后各的SRAM组件，不涉及电池，单片可靠性，真正表面贴装解决方案，抗负脉冲能力；兼容SRAM和EEPROM，符合JEDEC标准32K×8SRAM，存取时间70ns，周期时间：140ns低功率操作：工作电压3.0～3.6V，工作电流15mA，待机电流15μA；工业级标准配置：工业级温度－40～＋85℃

  • 引脚图：

    FM18L08-70-TG引脚图

FM18L08-70-TG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FM18L08-70-TG外观图

  • 制造商：Ramtron
  • 产品种类：F-RAM
  • 存储容量：256 Kbit
  • 组织：32 K x 8
  • 接口：Parallel
  • 工作电源电压：3 V to 3.65 V
  • 工作温度范围：- 40 C to + 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOP-32
  • 封装：Tray
  • 访问时间：70 ns
  • 工厂包装数量：234
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