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FM22L16

更新时间:2024-04-21 16:29:04
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    FM22L16-55-TG
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FM22L16 相关资料
  • 其它信息:

    4M位非易失性铁电存储器,结构容量为256K×16位,可用作/Us,/LB配置为512K×8;100亿次的读写次数,写数据无延时,分页模式操作速度达4OMHz,采用先进的高可靠性的铁电制造工艺; 兼容SRAM,符合JEDEC标准256K×16SRAM,存取时间55ns,周期时间110ns; 低电压YDD监测保护存储器防止误写入; 软件可编程序块写保护;相对于有电池后备的SRAM组件:不涉及电池;单片可靠性;真正表面贴装解决方案;低功率操作:工作电压2.7~3.6V,低电流模式5μA(ZZ引脚),工作电流18mA;工业标准配置:工业级温度-40~+85℃;遵从RoHS标准 

  • 引脚图:

    FM22L16引脚图

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  • 大小:189.55KB
  • 厂家:RAMTRON [Ramtron International Corporation]
  • 描述:4Mbit FRAM Memory
FM22L16 相关信息
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    ...ive104 系列 PC/104 兼容单板计算机 (SBC) 和智能 I/O 扩展模块中,采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存储器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太网和 USB 板的设计中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM,以取代 active104 系统中的 Flash、SRAM 和 EEPROM 存储器技术,因为Ramtron 的 F-RAM 器件具有非易失性、No Delay (无延迟) 写入能力及无限次的擦写,这对保证...
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    Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许...

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