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FM25L04-DG

更新时间:2025-04-04 23:36:49
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FM25L04-DG 相关资料

  • 其它信息：

    4K位非易失性铁电存储器，结构容量为512×8位，读写次数无限制，掉电数据保持45年，写数据无延时，采用先进的高可靠性的铁电制造工艺； 快速串行外设接口SPI，总线速度最大可达14MHz，硬件上可直接取代EEPROM，SPI模式0和3（CPOL，CPHA＝0，0和1，1）；写保护模式：硬件保护，软件保护；低功耗操作：操作电压2.7～3.6V,待机电流1μA；工业标准配置：工业级温度－40～＋85℃；遵从RoHS标准； TDFN引脚兼容TSSOP-8

  • 引脚图：

    FM25L04-DG引脚图

FM25L04-DG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FM25L04-DG外观图

  • 制造商：Ramtron
  • 产品种类：F-RAM
  • 存储容量：4 KB
  • 组织：512 x 8
  • 接口：Serial
  • 工作电源电压：2.7 V to 3.6 V
  • 工作温度范围：- 40 C to + 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TDFN-8
  • 封装：Tube
  • 工厂包装数量：122
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