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FQA28N50

更新时间:2024-03-28 17:38:02
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FQA28N50外观图

  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:28.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:160 毫欧 @ 14.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5600pF @ 25V
  • 功率 - 最大:310W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装:TO-3PN
  • 包装:管件
FQA28N50 相关信息
  • 基于IC控制器FAN4810的500WPFC电源的设计
    ...至少是500V,以能安全承受400V的DC升压电压。由于通过升压电感器L1的最大峰值电流IL(MAX)=10.45A,故Q1和D1的峰值电流容量不能低于1045A。推荐升压二极管D1选用ISL9R1560P2,Q1选用FDH44N50,FQA28N50,FQA19N60等MOSFETs,或选用FGH40N6S2D,HGTG20N60A4D,FGK60N6S2D等IGBTs。3 实验结果对于图2所示的PFC升压变换器电路,按设计结果选择元器件,焊接在PCB上经检查无误后,在AC输入端...
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