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FQN1N50CBU

更新时间:2025-05-16 10:35:20
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FQN1N50CBU外观图

FQN1N50CBU

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

  • 封装:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
FQN1N50CBU 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    QFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    380mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    6 欧姆 @ 190mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    195pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    890mW
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装
    TO-92-3
  • 包装
    散装
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