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FSV560

更新时间:2025-06-07 02:39:21

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市港深电子有限公司
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斯耐尔（深圳）科技有限责任公
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柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

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深圳市杰旭鑫科技有限公司
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Spot Stock/22+
全新原装现货，可开专票

深圳羚行科技有限公司
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ON Semiconductor
TO277 3PowerDFN/22+
原装现货，实单来谈，配套服务

深圳市佳达源电子有限公司
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只做原装，价格市场

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

深圳市凯鑫跃电子有限公司
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专营贴片二三极管桥堆原装现货特价抛售

深圳市威雅利发展有限公司
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FSV560 概述

FSV560是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为10V时典型值仅为0.024欧姆，这有助于减少导通损耗，提高能效。该器件最大漏极电流可达5.3A，适用于各类需要高效功率转换的应用场景。在电源管理应用中，如直流-直流转换器、电池充电电路等，FSV560可以作为开关元件使用，其快速开关速度和低栅极电荷能够提升整体效率。此外，在电机驱动应用中，例如无刷直流电机控制，这款MOSFET也能发挥良好性能。需要注意的是，在实际应用时应确保不超过最大额定参数，并合理设计散热系统以保证器件稳定工作。

FSV560 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
60 V
电流 - 平均整流 (Io)
5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
670 mV @ 5 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
150 μA @ 60 V
不同?Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装
TO-277-3
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

芯知识

2.9万

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