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FQI4N20LTU

更新时间:2025-05-17 16:58:44
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FQI4N20LTU外观图

FQI4N20LTU

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK

  • 封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
FQI4N20LTU 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    QFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.35 欧姆 @ 1.9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    310pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3.13W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装
    I2PAK
  • 包装
    管件
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