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HAT1069C-EL-E

更新时间:2025-05-12 20:02:31
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HAT1069C-EL-E外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1380 pF @ 10 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：900mW（Ta）
  • 工作温度：150°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：6-CMFPAK
  • 封装/外壳：6-SMD，扁平引线
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