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HAT2279N-EL-E

更新时间:2025-04-04 09:41:57
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HAT2279N-EL-E外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12.3 毫欧 @ 15A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3520pF @ 10V
  • 功率 - 最大：25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
  • 供应商设备封装：8-LFPAK-iV
  • 包装：带卷 (TR)
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