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HSG1002VE-TL-E

更新时间:2025-07-13 11:10:35
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HSG1002VE-TL-E 规格参数
  • 标准包装
    10,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    3.5V
  • 频率 - 转换
    38GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）
    0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
  • 增益
    8dB ~ 19.5dB
  • 功率 - 最大
    200mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    100 @ 5mA，2V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    35mA
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    4-SMD，鸥翼型
  • 供应商设备封装
    4-MFPAK
  • 包装
    带卷 (TR)
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