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IMT17T110

更新时间:2024-04-19 21:26:20
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IMT17T110外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大:300mW
  • 频率 - 转换:200MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装:SMT6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IMT17T110-NDIMT17T110TR
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