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IRF3710

更新时间:2024-04-24 03:14:06
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IRF3710外观图

  • 典型关断延迟时间:45 ns
  • 典型接通延迟时间:12 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:130 nC V @ 80
  • 典型输入电容值@Vds:3130 pF V @ 25
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:4.69mm
  • 封装类型:TO-220AB
  • 尺寸:10.54 x 4.69 x 8.77mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:200000 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:100 V
  • 最大漏源电阻值:0.023
  • 最大连续漏极电流:57 A
  • 最高工作温度:+175 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单
  • 长度:10.54mm
  • 高度:8.77mm
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