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IRF5850TRPBF

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IRF5850TRPBF外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:135 毫欧 @ 2.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:320pF @ 15V
  • 功率 - 最大:960mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF5850TRPBF-NDIRF5850TRPBFTR
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