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IRF7314PBF

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IRF7314PBF外观图

  • 大小：195.9KB
  • 厂家：International Rectifier
  • 描述： MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-700mV; Power Dissipation Pd:1.4W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-5.3A; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:c; Pin Format:1 S1; 2 ...
  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：58 毫欧 @ 2.9A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：780pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件
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