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IRFF9131

更新时间:2025-05-26 01:32:12

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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IRFF9131 概述

IRFF9131是由英飞凌科技公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用D2PAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源管理应用。其最大漏源电压（Vds）为-60V，适合于直流到直流转换器、电池供电设备以及电机驱动等场合。在实际应用中，IRFF9131常被用于需要高效率和紧凑设计的电路中，例如便携式电子设备和工业自动化系统。由于其低栅极电荷（Qg），可以实现较低的开关损耗，有助于提高整体系统的效率。使用时应注意确保适当的散热措施，以避免过热损坏。此外，在布局PCB时应尽量缩短源极与地之间的连线长度，减少寄生电感对电路性能的影响。

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