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IRFH5300TRPBF

更新时间:2024-04-26 15:23:14
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IRFH5300TRPBF外观图

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  • 描述：www.irf.com 1 9/17/09 IRFH5300PbF HEXFET  Power MOSFET Notes through  are on page 8  Features and Benefits Applications ? OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current ? Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Note Form Quantity IRFH5300TRPBF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 4000 IRFH5300TR2PBF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 400 Orderable part number Package Type Standard Pack Absolute Maximum Ratings Parameter Units V DS Drain-to-Source Voltage V GS Gate-to-Source Voltage I D @ T A = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V I D @ T A = 70°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V I D @ T C(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V I D @ T C(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V I DM Pulsed Drain Current P D @T A = 25°C Power Dissipation P D @ T C(Bottom) = 25°C Power Dissipation Linear Derating Factor W/°C T J Operating Junction and T STG Storage Temperature Range V W A °C Max. 40 100 400 ± 20 30 32
  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 毫欧 @ 50A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：7200pF @ 15V
  • 功率 - 最大：3.6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-VQFN
  • 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
  • 包装：带卷 (TR)
IRFH5300TRPBF 相关信息
  • IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
    ...bF器件都是专为DC开关应用设计的，例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPBF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 达到了 50nC。 如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不仅能够实现卓越的热性能，还可以根据给定的功率损耗要求...
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