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IRFH5303TR2PBF

更新时间:2025-05-21 17:38:47

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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN

封装:8-PowerVQFN

IRFH5303TR2PBF 规格参数

标准包装
400
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
23A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.2 毫欧 @ 49A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.35V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2190pF @ 15V
功率 - 最大
3.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVQFN
供应商设备封装
PQFN（5x6）
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRFH5303TR2PBFTR

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