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IRLHM620TRPBF

更新时间:2025-05-17 12:03:45
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IRLHM620TRPBF外观图

IRLHM620TRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

  • 封装:8-VQFN 裸露焊盘
IRLHM620TRPBF 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    26A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.5 毫欧 @ 20A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.1V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    78nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3620pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2.7W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-VQFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    PQFN（3x3）
  • 包装
    Digi-Reel?
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广东微尔科技有限公司
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