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IXDN55N120D1

更新时间:2025-05-19 17:57:30
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • IXDN55N120D1

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IXDN55N120D1外观图

IXDN55N120D1

IXYS IGBT

IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B

  • 封装:SOT-227-4，miniBLOC
IXDN55N120D1 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    NPT
  • 配置
    单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.8V @ 15V，55A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    3.8mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    3.3nF @ 25V
  • 功率 - 最大
    450W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
    SOT-227B
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