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IXFT23N60Q

更新时间:2025-05-18 23:32:37

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IXFT23N60Q

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

封装:TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA

IXFT23N60Q 概述

IXFT23N60Q是IXYS公司生产的一款高压功率MOSFET。该器件专为高效能电源转换应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）可达600V，连续漏极电流（Id）为23A，适用于需要高电压处理能力的场合。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动以及高频开关电源等电力电子设备。在实际使用中，建议结合具体电路要求选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度，并注意散热设计以确保稳定工作。对于高可靠性需求的应用，还需考虑适当的保护措施如过流、过温保护等。

IXFT23N60Q 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
23A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
320 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3300pF @ 25V
功率 - 最大
400W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装
TO-268
包装
散装

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