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K8D6316UBM-YI07

更新时间:2025-05-01 03:11:42
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  • 其它信息：

    单电压：VCC＝2.7～3.6V(读/写操作电压)； 结构：8388608×8位/4194304×16位(字模式)； 快速读存取时间：70ns； 编程/擦除操作时读；Bank1结构：Bank2：16M位/48M位；安全码块：额外的64KB块； 功率消耗(典型值5MHz时)：读电流：14mA,编程/擦除电流：15mA,编程时读或擦除时读电流：25mA,待机模式/自动睡眠模式：10μA； WP/ACC输人引脚：在VIL时允许2个最外层的启动区特殊保护,与块保护状态无关；在YIH时删除2个最外层的启动区特殊保护,2个块恢复正常块保护状态； 在VHH时编程时间：9μs/字； 擦除暂停/恢复； 解锁旁路编程； 硬件RESET脚； 控制存储器操作； 块组保护/非保护； 支持通用的Flash存储器接口；工业级温度：－40～85℃； 100000次编程/擦除周期,10年的数据保留时间； 封装：48引脚的TSOP、TBGA和FBGA封装； 工作温度范围：工业级温度－40～85℃； 存取时间：70ns

  • 引脚图：

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