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K8P6415UQB-EI4B

更新时间:2025-04-16 12:58:55

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其它信息：

单电压：V_CC＝2.7～3.6V（读/写操作电压）；结构：4M×16位（字模式）；快速读存取时间：55ns；页模式操作：8字页存取允许快速异步读，页读存取时间：20ns；编程/擦除操作时读；多Bank体系结构（4banks）：Bank0：8M位（4K字×8和32K字×15），Bank1：24M位（宫2K字×48），Bank2：24M位（32K字×48），Bank3：8M位（4K字×8和32K字×15）；OTP块：额外256字：出厂的128字和用户OTP的128字；功率消耗（典型值）：读电流：45mA、10MHz，编程/擦除电流：17mA，编程时读或擦除时读电流：35mA，待机模式/自动睡眠模式：15μA；支持单、4字快速编程； WP/ACC输人引脚：在V_IL时允许2个最外层的启动区特殊保护，与块保护状态无关；在V_IH时删除2个最外层的启动区特殊保护，2个块恢复正常块保护状态，快速4字长字编程时间：1.5μs；擦除暂停/恢复；编程暂停/恢复；解锁旁路编程；硬件RESET引脚；控制存储器操作；块保护/非保护；支持通用的Flash存储器接口；工作温度范围：工业级温度：－40～85℃，扩展温度：－25～85℃，商业级温度：0～70℃；100000次编程/擦除周期，10年的数据保留时间；封装：48引脚的TSOP和FBGA封装，64引脚的FBGA封装；工作温度范围：工业级温度－40～85℃；存取时间：60ns/25ns
引脚图：

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