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其它信息:
电源电压:1.8V设各VCC=1.7~1.95V;结构:存储器单元阵列:(256M+8192K)×8位,数据存储器:(2K+64)×8位,缓存存储器:(2K+64)×8位;自动编程和擦除:页编程:(2K+64)字节,块擦除:(128K+4K)字节;页读操作:页大小:2KB,随机存取:25μs(最大值),串行页访问:30ns(最小值);快速写周期时间:编程时间:300μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值);指令/地址/数据复用I/O端口;硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定;可靠的CMOS准浮栅技术,10k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间;指令存储器操作;上电自动读操作;封装:48引脚的TSOP封装;工作温度:-10~+125℃
引脚图:
IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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