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KSC5302DITU

更新时间:2025-07-23 08:15:47
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KSC5302DITU 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    400 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    12 V
  • 最大直流电集电极电流
    2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    20
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    IPAK
  • 封装
    Rail
  • 功率耗散
    25000 mW
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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