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KTC200-Y-AT/P

更新时间:2025-07-10 13:33:48

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KTC200-Y-AT/P 概述

KTC200-Y-AT/P是来自KEC( Korea Electronics Corporation)的一款双N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为4.5V时典型导通电阻仅为50mΩ。该器件适用于多种应用场景如DC-DC转换器、电池保护电路以及负载开关等便携式设备中。由于其小尺寸封装和低功耗特点，非常适合用于对空间和功耗有严格要求的手持设备和可穿戴设备里。在应用时需注意其最大漏极电流为2A，工作温度范围为-55°C到150°C。在设计电路时要确保不超过这些极限参数。例如在电池保护电路中，可将此MOSFET与控制IC配合使用，当检测到过流或过压情况时关断MOSFET以保护后端电路。

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