L2SC5343RLT1G

更新时间:2025-06-10 10:37:35

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L2SC5343RLT1G 概述

SC5343RLT1G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道MOSFET，采用SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效功率管理的应用场景。其典型应用包括负载开关、电源管理电路以及便携式设备中的DC-DC转换器等。L2SC5343RLT1G的最大漏极-源极电压为20V，连续漏极电流可达3.8A，适合在低压系统中使用。由于其小型化封装设计，特别适合空间受限的设计需求，并且能够显著提高系统的整体效率。此外，该MOSFET还具备较高的耐用性和可靠性，确保在各种工作条件下的稳定运行。

芯知识

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