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其它信息:
编程、擦除、读出操作电压:5V±10%;存取时间:35ns;编程时间:8μs/字(典型值);5个存储器块,其中1个启动块(底部),2个参数块和2个主块;编程/擦除操作控制:嵌入字程序算法,嵌入多块/芯片擦除算法,状态存储器轮询和触发位;有擦除暂停和恢复模式,擦除暂停时可以在其他块进行编程和读出操作;解锁旁路编程命令:更快的生产批量编程;临时块不保护模式;低功耗:待机和自动待机;每块100000次编程/擦除操作周期;兼容M28F102:引脚输出和读模式;掉电数据保持20年,缺陷率低于1×10-6年;电子签字:厂商代码:0020h,底部装置代码M29F102BB:0097h;无铅封装
引脚图: