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MJ11032G

更新时间:2024-04-24 02:30:30
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  • 深圳市君云达电子科技有限公司

  • MJ11032G

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MJ11032G外观图

  • 大小：116.1KB
  • 厂家：ON Semiconductor
  • 描述： TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:18; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:TO-204; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:3.5V; Current Ic Continuous a Max:50A; Hfe Min:400; Package / Case:TO-204; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:
  • 标准包装：100
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3.5V @ 500mA，50A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 25A，5V
  • 功率 - 最大：300W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-204AE
  • 供应商设备封装：TO-3
  • 包装：托盘
  • 其它名称：MJ11032GOS
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