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MJE271G

更新时间:2025-06-16 21:44:11
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MJE271G外观图

MJE271G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL PNP 2A 100V TO-225

  • 封装:TO-225AA，TO-126-3
MJE271G 规格参数
  • 标准包装
    500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    3V @ 1.2mA，120mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    1500 @ 120mA，10V
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 频率 - 转换
    6MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-225AA，TO-126-3
  • 供应商设备封装
    TO225AA
  • 包装
    散装
  • 其它名称
    MJE271G-NDMJE271GOS
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