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MBT3904DW1T3G

更新时间:2025-06-25 13:53:58

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MBT3904DW1T3G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS GP DUAL 200MA 40V SOT-363

封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

MBT3904DW1T3G 规格参数

标准包装
10,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列
系列
-
晶体管类型
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 10mA，1V
功率 - 最大
150mW
频率 - 转换
300MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
带卷 (TR)

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