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MSD2714AT1G

更新时间:2025-06-03 00:00:36
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MSD2714AT1G外观图

MSD2714AT1G

ON Semiconductor RF 晶体管 (BJT)

TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MSD2714AT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    25V
  • 频率 - 转换
    650MHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）
    -
  • 增益
    -
  • 功率 - 最大
    225mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    90 @ 1mA，6V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SC-59
  • 包装
    带卷 (TR)
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