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MSD42WT1G

更新时间:2025-05-15 20:10:26
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MSD42WT1G外观图

MSD42WT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN GP BIPO 300V SOT-323

  • 封装:SC-70，SOT-323
MSD42WT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    500mV @ 2mA，20mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    40 @ 30mA，10V
  • 功率 - 最大
    150mW
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-70，SOT-323
  • 供应商设备封装
    SC-70-3（SOT323）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MSD42WT1G-NDMSD42WT1GOSTR
MSD42WT1G Datasheet数据手册 PDF下载
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