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NVD5890NLT4G

更新时间:2025-05-16 00:09:04

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NVD5890NLT4G 规格参数

现有数量
0现货
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Ta），123A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.7 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
42 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4760 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4W（Ta），107W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

芯知识

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