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NE685M03-T1-A

更新时间:2025-05-17 04:18:18
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NE685M03-T1-A外观图

NE685M03-T1-A

CEL RF 晶体管 (BJT)

TRANSISTOR NPN 2GHZ M03

  • 封装:3-XSOF，迷你型模塑
NE685M03-T1-A 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    5V
  • 频率 - 转换
    12GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）
    1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • 增益
    -
  • 功率 - 最大
    125mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    75 @ 10mA，3V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    30mA
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    3-XSOF，迷你型模塑
  • 供应商设备封装
    M03
  • 包装
    带卷 (TR)
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