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NID5001NT4G

更新时间:2025-06-17 21:19:37

供应商
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封装/批号
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询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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只做原装,专注海外现货订购20年

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深圳羚行科技有限公司
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原装正品热卖，价格优势

深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市福启达科技有限公司
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NID5001NT4G外观图

NID5001NT4G

ON Semiconductor PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

MOSFET PWR HD+ 33A 42V ESD DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NID5001NT4G 概述

NID5001NT4G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用小巧的SOT-23封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为4.5V时典型值仅为60mΩ，这有助于减少导通损耗并提高能效。该器件适用于广泛的低压应用，如负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等场景。在电池供电设备中特别有用，因为它能在节省空间的同时提供高效能的功率控制能力。使用时需注意最大漏源电压限制为30V，连续漏极电流不超过2.8A（在特定条件下）。设计电路时要确保满足这些电气参数要求，并且根据具体应用场景进行适当的散热设计以保证稳定运行。例如在作为负载开关使用时，可将其串联于电源与负载之间，并加上合适的驱动电路来控制其开关状态。

NID5001NT4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
集成电路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关
系列
HDPlus™
类型
低端
输入类型
非反相
输出数
1
导通状态电阻
23 毫欧
电流 - 输出 / 通道
-
电流 - 峰值输出
33A
电源电压
-
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NID5001NT4GOSNID5001NT4GOS-NDNID5001NT4GOSTR

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