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PDTC114EE

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PDTC114EE 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IO=ICM=100mA
    电压参数:UCBO=UCEO=50V/UEBO=10V
    功   率:Ptot=150mW
    极   性:NPN
    备  注:对管,PDTA114EE

PDTC114EEPDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 大小:66.42KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
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