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PDTC114EE

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PDTC114EE 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IO=ICM=100mA
    电压参数：UCBO=UCEO=50V/UEBO=10V
    功   率：Ptot=150mW
    极   性：NPN
    备  注：对管，PDTA114EE

PDTC114EEPDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
PDTC114EE PDF下载
  • 大小：66.42KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
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