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PH20100S

更新时间:2024-09-23 22:54:13
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  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
  • 典型关断延迟时间:47 ns
  • 典型接通延迟时间:23 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:39 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:2264 pF V @ 25
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:4.1mm
  • 封装类型:LFPAK
  • 尺寸:5 x 4.1 x 1.1mm
  • 引脚数目:5
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:62500 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:100 V
  • 最大漏源电阻值:0.023
  • 最大连续漏极电流:34.3 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单、三源
  • 长度:5mm
  • 高度:1.1mm
PH20100S 相关信息
  • LPC2141的无刷直流电机控制系统设计
    ...用于用户的特定应用要求。 4.2电机的选择 使用Maxon公司120 W的EC-40直流电机。空载时供电电压为24 V,电机的转速可达到5 900 r/min,最大的连续电流达到6 A。 4.3 MOSFET的选择 选用NXP公司的PH20100S N沟道场效应管Trench-MOS逻辑电平。这个电平与选定的电机有关。对于24 V电机,MOSFET的VDS需要至少40 V,而漏电流必须足够大,以满足电机的启动电流。由于系统程序代码设计了软启动机...
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