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PHD101NQ03LT

更新时间:2025-05-19 14:56:45
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PHD101NQ03LT 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    37 ns
  • 典型接通延迟时间
    23 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    23 nC V @ 5
  • 典型输入电容值@Vds
    2180 pF V @ 25
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    6.22mm
  • 封装类型
    DPAK
  • 尺寸
    6.73 x 6.22 x 2.38mm
  • 引脚数目
    3
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    166000 mW
  • 最大栅源电压
    20 V
  • 最大漏源电压
    30 V
  • 最大漏源电阻值
    0.006
  • 最大连续漏极电流
    75 A
  • 最高工作温度
    +175 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N
  • 配置
    单
  • 长度
    6.73mm
  • 高度
    2.38mm
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