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PHW80NQ10T

更新时间:2025-05-08 03:25:37
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PHW80NQ10T的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：NXP
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：80 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.015 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-247
  • 封装：Rail
  • 下降时间：95 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：263 W
  • 上升时间：80 ns
  • 工厂包装数量：25
  • 典型关闭延迟时间：150 ns
  • 零件号别名：PHW80NQ10T,127
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