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PMN23UN,165

更新时间:2025-05-21 00:59:33
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PMN23UN,165外观图

PMN23UN,165

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

  • 封装:SC-74，SOT-457
PMN23UN,165 规格参数
  • 标准包装
    10,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    28 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    700mV @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    10.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    740pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.75W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装
    6-TSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934058058165PMN23UN /T2PMN23UN /T2-ND
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