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PSMN2R0-30PL,127

更新时间:2025-05-21 18:01:39

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市创德丰电子有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳世鹏翔科技有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市创德丰电子有限公司
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TO220AB/13+/14+
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标准国际（香港）有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市天卓伟业电子有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市科鑫美电子有限公司
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深圳市特莱科技有限公司
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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中科航芯（深圳）科技有限公司
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中科航芯（深圳）科技有限公司
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安富利（深圳）商贸有限公司
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深圳市芯奕科技有限公司
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原装进口现货

易创佳业科技（深圳）有限公司
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MICROCHIP(美国微芯)
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原装现货秉承原装

深圳市粤科源兴科技有限公司
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NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3

封装:TO-220-3

PSMN2R0-30PL,127 规格参数

特色产品
TO220 with Trench 6 MOSFETs
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.1 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
117nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6810pF @ 12V
功率 - 最大
211W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
568-4899-5934063917127

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