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PSMN6R0-25YLB,115

更新时间:2025-05-06 03:15:49
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PSMN6R0-25YLB,115的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：73A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.1 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.95V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：19.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1099pF @ 12V
  • 功率 - 最大：58W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
  • 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：568-8529-6
芯知识
1.6万
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广东微尔科技有限公司
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